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SH8M41
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
<Tr1(Nch)>
　
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
10
Unit
? A
Conditions
V GS =20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
80
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
1.0
-
-
1
2.5
? A
V
V DS =80V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
-
90
110
120
130
150
160
I D =3.4A, V GS =10V
m ? I D =3.4A, V GS =4.5V
I D =3.4A, V GS =4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
600
100
40
12
15
40
12
6.6
1.8
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
9.2
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS =10V, I D =3.4A
V DS =10V
V GS =0V
f=1MHz
I D =1.7A, V DD 40V
V GS =10V
R L =24 ?
R G =10 ?
I D =3.4A
V DD 40V
V GS =5V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I s =6.4A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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